电子设备作业时发生的电磁能量发射会对周围的设备发生搅扰。跟着电子设备密布程度的添加，设备相互间的电磁搅扰问题越来越严峻。曩昔电子设备的性要求仅作为挑选性要求，而现在已经成为电子设备有必要满意的关键性目标之一。怎么使电子设备具有杰出的
电磁兼容规划的意图有3个：首要，是使电子设备内部的电路互不发生搅扰，这是最起码的要求。因为现代设备作业的频率越来越高，数字电路和模仿电路混合的场合越来越多，要使设备能够牢靠安稳地作业也是有必定难度的。第2，是使设备发生的电磁搅扰强度低于特定的极限值。这关于核算机设备非常重要。核算机设备中的脉冲电流会发生较强的电磁辐射，搅扰周围的设备，特别是无线通信设备，如不采纳有用的按捺辐射办法，核算时机严峻影响体系的正常作业。第3，是使设备对外界的电磁搅扰有必定的反抗才干。
因为电子设备发生的电磁发射是设备内部的信号电流或电压发生的，因此，这些发射中包含了电压或电流的改变信息。当将这些信号中的信息提取出来时就取得了设备所在理的信息。这是1个特别的电磁兼容问题，即TEMPEST问题。TEMPEST技能是避免电子信息设备经过电磁能量发射发生信息走漏发射。
完成电磁兼容和TEMPEST防护的重要手法之一是电磁屏蔽电磁屏蔽的意图是堵截电磁波的传达途径。用电磁屏蔽的办法来处理电磁搅扰问题。它既能确保电子设备内的电路正常作业，又能确保设备的安全。屏蔽功用的好坏用屏蔽效能来标明。屏蔽效能表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度，一般用分贝（dB）来标明。一般商业设备的屏蔽体的屏蔽效能可达40dB；军用设备屏蔽体的屏蔽效能可达60dB以上；TEMPEST设备的屏蔽效能可抵达80dB以上。
可是，屏蔽体受各种要素影响，跟着时刻的推移，屏蔽效能会发生改变。怎么坚持电磁屏蔽效能的安稳性是电子产品规划人员，尤其是从事电磁兼容技能和信息安全的专业人员要特别注重的课题。
在电磁兼容（EMC）和TEMPEST防护产品研发规划实践中，发现有许多要素会形成电磁屏蔽体系不安稳或发生严峻的电磁能量的发射和信息走漏，而且这些要素是贯穿在由产品的规划到运用全过程的。有人以为电磁屏蔽效能安稳性仅仅指测验合格的产品交给运用后的问题，这是不全面的。仅举1个实例加以阐明：有1台TEMPEST防护产品，在交给查验时测验目标非常好，时过半年复测时发现屏蔽效能下降10dB。经查看发现屏蔽体搭接处的镀镍层有锈蚀现象，与电磁屏蔽密封衬垫压接处的阻抗变大，形成缝隙走漏。经查实是因为加工操作者未遵循规划图纸的技能要求，用“强水”作锡焊助焊剂，在焊接时热熔喷流到搭接口外，焊后没有仔细清洗而形成金属外表锈蚀。
别的一个比如是焊缝的腐蚀问题。要确保屏蔽体的导电完好性，有必要对结合处进行接连焊接。为了处理焊接长焊道变形的问题，一般在接合处选用点焊压接后，再镀镍而后用锡焊封缝。因为在电镀前要进行酸洗，往往这些酸洗液很难清洗洁净，而残留在压接缝中，形成慢延腐蚀现象。这些均归于在出产加工过程中的质量操控环节问题而影响了电子产品在运用过程中电磁屏蔽效能的安稳性。
归结起来，影响屏蔽效能安稳性的原因有许多潜在的要素，也有时效的要素。它贯穿在规划阶段的规划观念和屏蔽资料、原料和外表处理的挑选；出产、加工、设备的质量操控；运用、保护操作的正确性和在恶劣环境下对屏蔽界面的防护等。往往潜在的要素易被忽视。
屏蔽体的屏蔽效能由2部分构成，吸收损耗和反射损耗。当电磁波入射到不同介质的分界面时，会发生反射，所以减小了持续传达的电磁波的能量。因为反射形成的电磁波的衰减，称为反射损耗。当电磁波在屏蔽资猜中传达时，会发生损耗，这种损耗称为吸收损耗。
电磁场的性质决议于源的特性、源周围的介质特性、源到调查点的间隔。间隔源较近时，场的特性由源决议；较远时，由介质决议。由此，将源周围的区域分为 2个，即近场和远场。/2以内的场叫近场或感应场。/2以外的场叫远场或辐射场。
近场时E/E称为波阻抗。辐射源为大电流、低电压时，波阻抗小于377，磁场为主；辐射源为高电压、小电流时，波阻抗大于377，电场为主。远场时E/H称为波阻抗，等于377。跟着间隔的添加，电场中的电场重量衰减比磁场重量快，因此波阻抗下降；磁场波中的电场重量衰减比磁场重量慢，因此波阻抗添加。当电场波在介质中传达时，它的起伏依照指数规则衰减：
反射损耗与电磁波的波阻抗和屏蔽资料的特征阻抗有关。电场波的反射损耗大，磁场波的反射损耗小。屏蔽资料的导电性越高反射损耗越大。
归纳屏蔽效能:低频时，因为趋肤深度很大，吸收损耗很小，屏蔽效能首要取决于反射损耗；而反射损耗与电磁波的阻抗联系很大，因此，低频时不同的电磁波的屏蔽效能相差很大。高频时，一方面反射损耗下降，另一方面因为趋肤深度减小，吸收损耗添加，屏蔽效能首要由吸收损耗决议；而吸收损耗与电磁波的品种无关。
当金属较薄时，电磁波在金属内的损耗很小，因此会在金属的2个外表上屡次反射；而每次抵达界面时，都会走漏一部分能量。因此，会形成屏蔽体的额定走漏。当屏蔽体较厚时，能量在金属内的损耗很大，屡次反射形成的走漏能够疏忽。关于电场波，因为大部分能量在金属与空气的第1个界面反射，进入金属的能量很小，因此能够疏忽屡次反射形成的走漏。关于磁场波，屡次反射形成的走漏及其影响是有必要考虑的。
低频磁场因为其频率较低，因此吸收损耗很小。又因为磁场的波阻抗很低，因此反射损耗也很小；而屏蔽资料的屏蔽效能由吸收损耗和反射损耗两部分构成，当这两部分都很小时，总的屏蔽效能也很低。为了进步屏蔽资料的屏蔽效能，有必要想办法进步吸收损耗和反射损耗。进步吸收损耗，能够运用导磁率高的资料；可是，导磁率高的资料一般导电性不是很好，这导致了反射损耗减小。为了添加反射损耗，能够在高导磁率资料的外表添加1层高导电率资料，如在钢壳外表镀1层镍，关于频率极低的磁场，即便运用较厚的高导磁率的资料仍达不到所需求的屏蔽要求。这时能够选用导磁率很高的资料，为磁场供给1条通路。使磁场绕过灵敏器材。需要留意的是，高导磁资料简单发生饱满，其导磁率跟着频率升高而下降；高导磁资料的导磁率对机械冲击很灵敏，当资料遭到加工冲击后，导磁率会大起伏下降，这在加工时要特别留意。经过恰当的热处理能够康复资料的导磁率，但这种资料的价格很贵。
从磁屏蔽资料手册上给出的导磁率数据大多数是直流情况下的。在1kHz时，钢的磁屏蔽效能高于铜和铝，低于金属；在10kHz时，钢反而优于金属；而在100kHz时，钢、铜、铝等均优于金属。这是因为频率高时，磁导率下降的原因。
电子设备屏蔽体金属部件之间的低阻抗衔接又称为搭接。例如，电缆屏蔽层与机箱之间搭接、屏蔽体上不同部分之间的搭接、滤波器与机箱之间的搭接、不同机箱之间地线搭接等。
搭接一般是指在2种不同或相同金属之间的低阻抗衔接。这儿值得留意的是，不同金属搭接在一一起电位应尽量挨近，以避免在恶劣环境中因为电位差形成金属发生电化学腐蚀的现象。触摸面的腐蚀会导致触摸阻抗变大而使屏蔽效能下降，因此要采纳相应、有用的办法。在接口法兰处镀1层附近电位且导电杰出的涂层，如钢制法兰和铝制盖板别离镀1层镍，再进行搭接能够取得很好的效果，一起，能取得锡焊的功用。关于长时刻固定的接口还能够用锡焊衔接。
屏蔽体金属部件之间的低阻抗衔接的类型有多种，所采纳的相应办法各不相同。处理欠好潜在的要素，会直接影响屏蔽效能的安稳性，所以，屏蔽体接口处搭接技能及其工艺操控是非常重要的。
正确地选用和设备屏蔽功用好、抗盐雾、耐电化学腐蚀的电磁密封衬垫是确保屏蔽体屏蔽效能安稳性的重要手法。常用的办法是在搭口缝隙处用电磁密封衬垫，运用其导电性和弹性好的特性完成缝隙电磁密封。
（1） 铍铜指形簧片高频、低频时的屏蔽效能都较高，而且适用于滑动触摸的场合。缺点是价格较高。
（2） 金属丝网套橡胶芯衬垫低频时的屏蔽效能高，高频时的屏蔽效能较低。一般用在1GHz以下的场合。
（3） 螺旋管衬垫高频、低频时的屏蔽效能都较高，特别是镀锡铍铜制成的螺旋管衬垫，具有很高的屏蔽效能。缺点是遭到过量紧缩时简单损坏。
导电橡胶用不同导电填充物和橡胶制成，与金属丝网相反，低频时的屏蔽效能较低，而高频时的屏蔽效能较高，而且能够一起供给电磁密封和环境密封。缺点是较硬、弹性较差。新开发的双层导电橡胶克服了这些缺点。
电磁屏蔽密封衬垫的运用关键和办法是：有必要具有满足的形变才干供给满足的屏蔽效能，因此，有必要确保衬垫上有满足的压力。压力太小，屏蔽效能低；压力过大，会形成衬垫损坏。加固螺钉的距离要恰当，压力要均匀适度。因此在运用时要对紧缩量进行限位，其工艺手法有多种。设备衬垫的不同办法如图2所示。
屏蔽衬垫设备好后，电子设备经过测验合格交给运用。运用一段时刻后进行复测（复测时刻依据运用环境和运用要求决议）。假如发现设备衬垫的接口处有走漏应及时采纳办法，当衬垫或金属外表腐蚀污染不严峻时，能够清洗金属衬垫或金属触摸外表；腐蚀情况严峻的，当即替换电磁密封衬垫。
电子设备的屏蔽体是用金属资料制成的。在严格的气候条件下，特别是在高温、高湿和许多工业气体污染或盐雾等恶劣环境中，金属资料特别简单遭受腐蚀，然后严峻影响电子设备的牢靠性和它的屏蔽效能的安稳性，因此，在屏蔽规划中，关于屏蔽层的防护规划是一个很重要的环节。
因为金属外表和搭接界面的腐蚀和氧化，电子设备的屏蔽效能跟着体系运用时刻的推移而下降。许多比如标明金属搭接外表的触摸阻抗和导电涂覆层外表阻抗会跟着时刻的推延而增大，其改变速度取决于设备长时刻所在作业环境的恶劣程度。规划人员要依据环境条件，开发用在腐蚀环境下的电磁密封设备，包含归纳进行密封规划、凸缘外表处理和资料挑选；依据环境条件作防腐蚀、防湿润、防盐雾的有用技能规划。现在，最简捷、牢靠的办法是选用外表喷涂一种耐蚀、防湿、防霉覆盖层。将密封和阻隔等防护行动归入归纳考虑之中，方能确保屏蔽体在不同环境污染中坚持屏蔽效能的安稳性。
电磁兼容和TEMPEST防护是一项实践性很强的技能，决不是只了解有关理论就能处理实践问题的。具体地说电磁屏蔽规划的某些环节处理欠好会给电磁兼容和 TEMPEST防护产品埋下潜在的不安稳危险。
根本规划缺点是规划人员不甚了解电磁屏蔽的原理，往往将静电屏蔽的原理运用到电磁屏蔽上。在静电屏蔽中，只要将屏蔽体接地，就能够取得较高的屏蔽效能；而电磁屏蔽却与屏蔽体接地与否无关，这是规划人员有必要清晰的。电磁屏蔽的关键是确保屏蔽体的导电接连性，即整个屏蔽体有必要是一个完好的、接连的导体。这一点完成起来是好不容易的。因为一个实践的电磁屏蔽体上有许多导致导电不接连的要素，如通风口、显现窗口、操作器材开口、不同部分的结合处搭接口、穿出屏蔽体的各种电缆等，
正是这些要素的存在，使实践屏蔽体的屏蔽效能很难抵达预期的效果。再有屏蔽体的接缝处理问题，永久性的接缝要求无阻抗衔接，即不得有缝隙呈现。这些要素使屏蔽体的规划成为一个较难的问题。在进行电磁屏蔽规划时，处理欠好这些开口和贯穿导体形成的屏蔽效能下降问题是根本缺点。最可怕的是有时处理的不非常牢靠：当检测时还能够，但作业一段时刻后，屏蔽效能将严峻下降。
通风口要设备通风波导蜂窝板，按捺电磁波的走漏；显现窗口要设备100至200目金属网通明玻璃制成的屏蔽玻璃或通明的导电膜胶片；操作器材如按键、旋钮、开关、提示灯等经过阻隔层上串接穿心电容及滤波功用的接插件来完成；穿出屏蔽体的电源电缆和信号电缆，除本身要用屏蔽电缆外，与屏蔽体的接口要做专用的电源滤波和信号滤波设备，其一是作好屏蔽，其二是按捺信号发射；不同部分的结合处要加屏蔽功用好、抗盐雾、耐化学腐蚀的电磁屏蔽密封衬垫，以确保接连、牢靠的导电功用。常用的几种办法如图4所示。
关于永久性的接缝，选用接连性焊接；关于长焊缝处理，为避免机壳因为焊接变形，可选用先点焊后镀锡或镀镍处理后再进行锡焊的办法。使屏蔽体的几面构成一个实践的接连导电的实体，不得有缝隙走漏现象呈现。采纳这些办法后屏蔽体方能取得较高的屏蔽功用和较长时期的安稳的屏蔽效能。
在搅扰电平很高的环境中，因为规划缺点，估计会发生许多的毛病，在产品寿数初期能够经过工程的规划改善加以纠正。
现代电子产品的一个首要特征是数字化、信息化、微处理器的运用非常遍及，而这些数字电路在作业时会发生很强的电磁搅扰。因此，电磁搅扰的问题呈现出史无前例的严峻性。按捺电磁搅扰及电磁能量走漏的电磁屏蔽效能的持久性、安稳性是一项实践性很强的技能，是军事、航天、航空和信息安全部分特别重视的课题。EMI屏蔽资料的用户在开发表征屏蔽体系安稳性的技能数据库方面应起到活跃的效果。这种数据库能够比较不同的导电的电磁密封衬垫，屏蔽体及法兰盘资料和涂覆层在不同环境下的功用。考虑到导电涂层和EMI衬垫界面的防腐功用，规划者在其规划中至少应留有10~20dB的余量。规划者要特别留意操控和纠正根本规划缺点，从规划到运用全过程都要重视电子设备电磁屏蔽效能的安稳性。
